중국 DRAM 생산 일정

다음은 중국 매체인 Shoujibao 기사를 번역 및 요약한 것입니다.

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2018년 7월 16일은 중국 메모리 역사상 의의가 있는 하루로, 합비에서 칩 투입 종결회 및

정식 양산 선포회가 열렸다.

3대 메모리 프로젝트 중 합비의 스케줄링은 다음과 같다.

2016년 5월 6일 프로젝트 시동

2017년 3월 공장 착공

2018년1월 1기 공장 건설 완료 및 설비 설치 개시

2018년 8GB DDR4 샘플 출시(19나노미터）；

2019년 3분기 8GB LPDDR4 생산 시작

2019년 월 2만개 생산

2020년 제 2공장 개시

2021년 17나노미터 공정 연구 개발

연구개발

실질적으로 2017년은 중요한 시점이었다.

2017년10월 합비 경제개발구에서 19나노미터 DRAM 합작 프로젝트가 시작되어

180억 인민폐가 투입되었고, 2018년 12월 31일전 연구개발 성공 목표로 진행되었다.

알려진 바에 의하면, 19나노미터의 연구개발 동시에 17나노미터도 연구에 착수하여 두개의 팀으로 나뉘어져

19나노미터는 대만팀이 17나노미터는 한국팀이 책임을 지고있다.

소개된 바와 같이 2017년말에 354개의 특허가 신청되었고,

2018년도에는 1155건의 신청이 진행되어 누계 1509계의 특허에 달할 것이다.

특허 계획중에는 회사의 부품, 설계, 마스크, 제조, 측정 등 전반적인 자주 개발의 관건 기술이 

포함되어있다.

* 2018년 하반기부터 중국의 가세로 메모리, 특히 DRAM쪽은 가격이나 시장이 포화가 될 가능성이 큽니다.

  우리도 차세대 산업으로 빨리 넘어가야 합니다.